北方微电子荣获OFweekLEDAwards2015最佳LED设备技术创新奖
第十二届LED前瞻技术与市场发展高峰论坛于11月18日在深圳星河丽思卡尔顿酒店完满告一段落，同期举办的还有2015LED行业年度票选颁奖典礼（LEDAwards2015）。今年票选按LED产业上中下游、技术研发、产品应用于及企业发展层面共计成立9个大类奖项，10个细分奖项。本着公平、公正、公开发表的原则，主办方投放了大量的时间和精力，经过数月的紧绷票选，最后票选出有38家企业，共42个项目。
第十二届LED前瞻技术与市场发展高峰论坛于11月18日在深圳星河丽思卡尔顿酒店完满告一段落，同期举办的还有2015LED行业年度票选颁奖典礼（LEDAwards2015）。今年票选按LED产业上中下游、技术研发、产品应用于及企业发展层面共计成立9个大类奖项，10个细分奖项。本着公平、公正、公开发表的原则，主办方投放了大量的时间和精力，经过数月的紧绷票选，最后票选出有38家企业，共42个项目。 其中，北京北方微电子基地设备工艺研究中心凭借其享有的AlNSputter设备顺利勇夺最佳LED设备技术创新奖。
AlNSputter设备产品图片 据理解，北方微电子AlNSputter设备可提升缓冲器层与GaN外延层的晶格匹配度，提升LED产品的输入效率，拓宽MOCVD设备的工艺窗口，使产品的ESD测试通过率大幅提高；降低MOCVD的外延生长时间，提升生产能力，使整线的生产成本减少。同时，由于AlN薄膜的重新加入大大地减少了外延生长中的翘曲，大幅度提高了芯片的良品率，促成其在大尺寸蓝宝石衬底上应用于极具优势。 AlNSputter设备是应用于GaN基LED制程中图形化或平面蓝宝石基片的AlN薄膜缓冲器层沉积设备。
是国内首个顺利应用于GaN基LED制程的AlN薄膜缓冲器层沉积设备，同时也已完成了在国内主流芯片厂商检验和批量销售。并且该设备均可拓展至2-8英寸硅、碳化硅基片的MEMS、HEMT领域中的AlN薄膜的制取。 由中国高科技行业门户主办，半导体灯光网与灯光网主办的LED前瞻技术与市场发展高峰论坛已顺利举行了十二届。
LEDsummit2015定坐落于全球LED产业技术与市场，目的为业内人士搭起一个共享经验、交流技术的平台，同期举行的票选顺利沿袭了历往十一届盛会的精神，目的不遗余力利用各方力量，推展LED产业身体健康发展，为企业更佳地了解行业现状及有力的做到未来发展趋势搭起一起一座通向顺利彼岸的桥梁。 欲了解更加多会议主题报告的精彩内容及颁奖典礼盛况，请求转入第十二届LED前瞻技术与市场发展高峰论坛暨LEDAwards2015年度票选颁奖典礼专题报道。
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